Un nouveau type de nanofil pour une nouvelle génération technologique
Le Laboratoire des matériaux semiconducteurs de l’EPFL a mis au point une hétérostructure originale, basée sur des nanofils d’arséniure de gallium (GaAs), qui ouvre la voie à de nouvelles fonctionnalités avancées. Il vient de publier ses résultats dans la revue ACS Nano, en collaboration avec l’Université de Barcelone.
Les nanofils GaAs sont des éléments semiconducteurs qui permettront de fabriquer les futures générations de dispositifs nanoélectroniques fonctionnels, de piles ou encore de cellules solaires. Pour que ce projet devienne réalité, il a fallu non seulement maîtriser la morphologie, la composition et la structure de ces nanofils, mais également parvenir à former des hétérostructures à l’intérieur de ceux-ci.
Ces nouveaux nanofils sont obtenus par une méthode non catalysée qui garantit la formation de structures cristallines de haute qualité tout en évitant de recourir à des métaux catalyseurs externes (tels que l’Au) qui mettraient en danger toute application dans un appareil.
La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.
Cette hétérostructure d’un genre nouveau offrira la possibilité de créer des sources à photon unique extrêmement efficaces, de réaliser des expériences novatrices dans le domaine de l’optique quantique, et de mettre au point des cellules solaires à nanofils à bande intermédiaire pour la photovoltaïque de troisième génération.